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Los próximos teléfonos inteligentes insignia podrían tener un espacio de almacenamiento de hasta 512 GB, gracias a los recientes avances tecnológicos de Samsung. El gigante surcoreano ha comenzado a producir en masa la primera solución de almacenamiento flash universal integrado de 512 GB del mundo para su uso en dispositivos móviles de próxima generación, incluidos teléfonos inteligentes, tabletas y más. Hasta ahora, el almacenamiento flash universal más grande de Samsung era de 256 GB, que se vio en algunos de los teléfonos inteligentes de primer nivel de este año. Este tamaño ahora se ha duplicado a 512 GB, lo que es un progreso impresionante, no obstante..
El nuevo eUFS utiliza los últimos chips V-NAND de 512 GB de 64 capas de Samsung para una "capacidad de almacenamiento incomparable y un rendimiento excepcional" para los teléfonos inteligentes y tabletas emblemáticos que se lanzarán en un futuro próximo.
Al garantizar un suministro temprano y estable de este almacenamiento integrado avanzado, Samsung está dando un gran paso adelante para contribuir al lanzamiento oportuno de dispositivos móviles de próxima generación por parte de fabricantes de dispositivos móviles en todo el mundo, dijo Jaesoo Han, vicepresidente ejecutivo de Memory Sales & Marketing. en Samsung Electronics.
El almacenamiento flash actualizado consta de ocho chps V-NAND de 512 GB de 64 capas y un chip controlador que se apilan juntos. En comparación, el eUFS de 256 GB anterior de Samsung era una unidad de 48 capas. Teniendo en cuenta que la mayoría de los teléfonos inteligentes de gama media y alta de hoy en día pueden ver y grabar contenido 4K, el espacio de almacenamiento más grande es absolutamente necesario para almacenar todos sus medios.. El nuevo eUFS de 512 GB le permite almacenar aproximadamente 130 videos 4K Ultra HD de 10 minutos de duración, que es nada menos que impresionante. Esa es una mejora diez veces mayor que el eUFS de 64 GB de la empresa, que es capaz de almacenar solo 13 clips de tamaño similar..
Por último, hablemos de velocidades. El eUFS de 512 GB debería poder ofrecer niveles de SSD SATA de rendimiento de lectura y escritura. Sus velocidades secuenciales de lectura y escritura pueden alcanzar un máximo de 860 MB / sy 255 MB / s respectivamente.. Cuando se trata de operaciones aleatorias, el último almacenamiento flash de Samsung puede leer y escribir 42,000 y 40,000 IOPS respectivamente.
La compañía aún no ha revelado la disponibilidad, pero puede esperar que esté empaquetado en teléfonos inteligentes que probablemente estarán disponibles a fines de 2018 o principios de 2019.
